Zurück (C) Christof Ermer, Regensburg
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Gratis Counter 30.01.2017

'kleine' Transistorkunde:    Transistor verstehen, ohne Ballast

da sich diese Seite einer Beliebtheit erfreut, baue ich Diese etwas besser aus.

Um Transistoren besser zu verstehen ist es nicht notwendig dicke Physikbücher zu lesen, viel zu rechnen  oder auswendig  zu lernen.

Tatsächlich reichen eine handvoll "Regeln" im Hinterkopf aus, um die Funktion eine Transistors zu verstehen.
Somit kann man verstehen, was er tut und kann so auch selbst einen Einsatz bei Bedarf planen.
In der "digitalen Welt" wird es meist noch einfacher!
Da reicht es oft aus, einen Transistor einfach wie einen Schalter  "voll" durch zusteuern, oder "abzuschalten". 
Und das ist einfach zu verstehen

Gefunden im Netz: Empfehlung: Lehr PDF der Uni des Saarlanes --> Transistor_2005_MD_1.pdf

Zuerst ein kurzer Ausflug in den inneren Aufbau:
Hilfreich ist einfach die Betrachtung einer Diode, dann des Transistors, um die  Ursache  für die Polung der Anschlüsse zu kennen und zu verstehen.

Deshalb zuerst die Funktion einer Diode:
 Die Diode
Sehr zu empfehlen: https://de.wikipedia.org/wiki/Diode

Schaltzeichen und Gehäuse- Die Ringkennzeichnung ist die KATHODE
innerer Aufbau ( Prinzip )



Verschiedene Dioden-Typen haben auch  verschiedene Diffusions- ( Durchbruch-) Spannungen:
 
Achtung: Nicht verwechseln mit der Zehner-Spannung =( Durchbruchs-Spannung einer Diode, die in Sperr-Richtung  betrieben wird.)

Anwendung:

Ein Vorwiderstand, oder eine LAST, (hier die Lampe) ist immer erforderlich,
da die Diffusionsspannung eine "KONSTANTE" ist und diese, so gut wie immer, an die Versorgungsspannung angepasst werden muss.
DA GIBT ES KEINE  AUSNAHMEN !   zumindest nicht welche, die Begründet sind.
In der Praxis sieht man immer wieder "schmutzige" Situationen, wie billige Lampen, wo z.B. eine LED DIREKT an die Knopfzelle gelegt wird. Ohne Vorwidestand. Gruselig,
Das ist eigentlich Pfusch.
Die Wahrheit ist, der Innenwiderstand der Batterie begrenzt den Strom, was auch ein Vorwiderstand ist. Wenn auch sehr schmutzig = falsch gelöst.

So wird der Vorwiedestand berechnet
Gegeben ist:
wir wollen einen Strom von 10mA. ( typisch für eine LED ),
wir haben 5V Versorgungsspannung. 
Eine Grüne LED hat etwa 1.8V Diffusiosnspannung
Wir Rechenn R= U/ I   -->   U= (5V -1.8V) / I=0.01A = 320 Ohm.
Der nächste Näherungswert der Normreihe für Widestände 5% = 330R,
und das ist nun unser Vorwiederstand.


Der  (Bipolar-)Transistor

Externe Webseite mit guter  Erklärung:
http://www.ferromel.de/tronic_1870.htm

Ein Bipolar-Transistor ist Vorstellungsmäßig eine Abfolge von 3 gestapelten Schichten
Jede Schicht hat eine im Kristall eingebaute
Ladung. ( Fachbegriff: 'dotierung')
Diese Ladung ist Negativ "N" oder Positiv "P".




Möglich ist für 3 Schichten die Reihenfolge N-P-N oder P-N-P.

Regel 1: Wir stellen uns den Bibpolar- Transistor als umgekehrt in Reihe liegende Dioden vor.
So wie  das Bild oben zeigt


Alg. Schaltplan Symbol des Transistors.  Mal gedreht, mal gespiegelt….
Relevant für den Typ ist der Pfeil


Typische Bauform eines gebräuchlichen Kleinsignal Transistors


„Allerweltstypen“ nennt man auch TUN oder TUP.
Was bedeutet:
TUN = Transistor Universal NPN
TUP = Transistor Universal PNP


Regel 2:  Polungen: Es merkt sich gut, wenn man sich am Transistor-Typ (NPN oder PNP) am
"mittleren Buchstaben" die Polarität an der Basis gegenüber dem Emitter merkt:

NPN  -->die Basis ist
zur Ansteuerung positiv gegenüber dem Emitter (ab ~0,6V) . Der Kollektor ist noch positiver PNP -->die Basis ist zur Ansteuerung negativ gegenüber dem Emitter (ab ~0,6V).  Der Kollektor ist noch negativer

Hier nochmals anschaulich gezeichntet:
Transistorpolungen:
 


Daraus folgt: betrachtet  beim NPN bipolar Transistor
   
1.) Der Kollektor ist deutlich positiver als der Emitter  ( beim NPN )               logischerweise ist es beim PNP ist die Polung umgekehrt !
                Damit ist im normalen Betrieb die „quasi“ Basis-Kollektor Diode im Sperrzustand.

wichtig * wichtig * wichtig * wichtig * wichtig * wichtig * wichtig * wichtig *
    2.) Ab einer positiven Spannung von ~0.6V, relativ zum Emitter(=durchschalten der Basis-Emitter Diode) beginnt ein Basisstrom zu fliessen.       
    Merke:
"Erst" ab etwa ~0.6 V beginnt ein Basisstrom zu fliessen.

    Merke: 
Ab dieser (diffusions)-Spannung  ändert sich die Basis-Emitter-Spannung von 0.6..0.7..0,8V nicht mehr wesentlich,     Merke:  Basis und Emitter haben „immer“ diese enge Spannungsbeziehung ( ~0.6Volt) zueinander.
       aber es fliesst, bei (leicht) steigender BE-Spannung, ein immer höherer Basistrom !
        --->  und dies hat, je nach Verstärkunng des Transistortyps einen entsprechenden Kollektorstrom zu Folge ( Verstärkung Vu = ~30..250 )
       Dieser viel höhere Kollektorstrom (25..400 fach) relativ zum Basistrom ist die Verstärkungseigenschaft des Transistor

Frag: ?????????????
Warum gibt es überhaubt einen Strom vom Kollektor zum Emitter ? 
Die Dioden sperren ja in jede Richtung !!
Weil nun ab 0,6Volt B-E die dünne Basis mit Ladungsträgern geflutet wird, wird die Sperrschicht von Basis zum Kollektor mit Ladungsträgern "auch" geflutet und so die Stecke "Kollektor-Emitter" sehr gut leitend.
Und zwar ist "Ic weit größer als Ib" und  in nahezu linearer Abhängigkeit vom Basistrom.
Diese Stromverstärkung macht den Transistor  so wertvoll.   Dies soll mal hier im Rahmen
als Erklärung genügen... Deshalb funkioniert ein Stromfluss von Kollektor zum Emitter
Allein aus diesem Wissen, lassen sich viele Transistorschaltungen besser verstehen !


Regel 3:  "Bipolar Transistoren sind Basis-Stromgesteuert".     Nicht Spannungsgesteuert


Daher:
Eine kleine Stromänderung an der Basis prodziert eine hohe Stromänderung im Kollektor-Emitter Stromkreis.
Daraus resultiert die Strom Verstärkungs des bibolaren Transistor
    Merksatz für die Praxis:  Je mehr Strom ein Transistor vom Typ her verarbeiten kann um so kleiner ist seine Stromverstärkung.
    Kleinsignaltransistoren (wie BC 545) haben durchaus eine Stromverstärkung, Beta oder Vu genannt von >200
    Leistungstransitoren  ( wie 2N3055  für 15 A) haben daher nur einen Vu von ~30 und weniger. Einfahc wiel intern die Basis nicht so dünn gebaut sein kann.
         
Errinnere dich an Regel 1: Wir stellen uns den Trasnistor als umgekert in reihe liegende Dioden vor,
Siehe Bild 3a  was der Realität entspricht wie in 3b


Prüfung des (bipolar-)Transistors
Dadurch kann man Transistoren einfach wie zwei Dioden prüfen.
        und zwar mit einem 
Durchgangsprüfer ( Piepser ) mit bekannten Polen an den Messspitzen:

1.) ob Sie funktionieren oder kaputt sind, und
2.) ob es ein NPN oder PNP Typ ist.

Mit einem Durchgangs Piepser, dessen Polung bekannt ist, kann nun ein Transistor nach Typ und Funktion getestet werden.
Zubehör: wie z.B. Piepser.html
  Anleitung:   Piepser-Zusammenbau.html   oder als PDF:    Piepser-Zusammenbau-Ausführlich.pdf
Man betrachtet den Transistor einfach wie zwei gegenpolig geschaltete Dioden.
Durchlass Spannung  an der Basis ist relevant: Merksatz
 --> NPN => Basis positiv,
restliche Anschlüsse dazu quasi negativ
PNP => Basis neagtiv, restliche Anschlüsse dazu positiv.
Praxis:
Vorgang: PLUS an BASIS halten,  auf Emitter und Kollektor mit der Meßspitze tippen.
     wenn es jetzt piepst, ist es ein NPN, weil PLUS über Basis leitet, sonst ist es ein PNP.
..und man weiß auch gleich ob beides funktioniert. auch die Sperrung zwischen Emitter und Kollektor ist zu erkennen.
2. Test. zwischen Colleter und Emmitter: Wenn es da eine 0-Ohm Verbindung gibt , ist der Transidtor kaputt. ( Durchlegiert nennt man das )
    Fall 2: Es gibt Transistoren ( Feldeffekt Typen sowieso ) die eine Sunstratdiode in Sperrichtung zwischen Emitter und Kollektor haben )
   
    Begründung:  Im Fall, wenn die Basis-Emitter Diode leitend wird, weil  an der Basis-Emmiterspannung >0.6V anstehen, also Ladungsträger in die „dünne“ Basis gelangen, wird auch die Zone zwischen Kollektor und Emitter mit Ladungsträgern geflutet und damit leitend.
Merke: Geringe Basis-Stromänderungen produzieren große Stromänderungen zwischen Kollektor und Emitter     = Verstärker Effekt

Merke: Ein Basisstrom hat die Folge dass die Basis-Kollektor Sperrschicht mit Ladungsträgern geflutet wird....
       --->
und das bedeutet, die Strecke vom Kolletor zum Emitter leitend = Niederohmig



Ich fasse zusammen:
Durch den Schichtaufbau ist ein Transistor wie zwei umgehehrt zueinander liegende Dioden für Prüfzweckezu betrachten
Die Basis hat gegenüber dem Emitter eine Steuerspannung, und damit  Spannungsunterschied, von in etwa 0.6V.   etwa {ab ~0.5. bis ~0.8V}
Dies nennt man Basis-Emitter Spannung   (schwelle = 0.6V)  ( Die Basis Emitter Diode schaltet bei ~0.6V  durch. )
so kann man sich nun die Spannugspotential am "NPN" Transistor vorstellen:

Der Transistor wird jetzt "durchgesteuert.
    ( Verstärkung Vu = ~35 bis 250 fach, je nach Transistor Typ )

Merke: Je mehr Strom ein Transistor verarbeiten kann (z.B der  Powertransistor 2N3055 ) , um so geringer ist meist sein Verstärkungsfaktor Vu. 
Das Verhältnis vom  Kollektorstrom zum  Basis-Stom  =>  Vu = IC / IB

   zum Verständnis:
Ein Transistor ist STROMGESTEUERT
, nicht spannungsgesteuert !
    ....auch wenn die Mindest-Spannungs-Potentiale an Basis Emitter eine Rolle spielen.  (0,6V)
    Aus dem Datenblatt kann man ersehen, welchen Steuerstrom der Transistor braucht um in Sättigung zu gehen.


Praxis  

Anwendungen:
Dies ist ein Transistor in der sogenannten (selteneren)  Kollektorschaltung  ( weil Ein und Ausgang sich auf den Kollektor beziehen )
Diese Schaltung wird auch Spannungsfolger genannt
Warum? -->  weil der Emitter (die EmittierSpannung) der Spannung an der Basis folgt.

Grund: weil eben eine feste Potential-Beziehung zwischen Emitter und Basis besteht ( unterschied etwa 0.6V )
Was hat man davon?
Meist nutzt man dies als Impedanzwandler, oder zur Signaltrennung.
    ( hier ist RE bsp. 2K2 Ohm, was die "Ausgangsimpedanz genannt" bildet ) .. oder z.B mit 65 Ohm als BNC Leitungstrieber.
Ein geringer Basis-Steuerstrom ist notwendig um einen höheren Kollekter- und damit Emmitter-Strom zu treiben.                                                                                             

U-Emitter = UBasis - ~ 0.6V.     Aber mit Impedanzwandlung
   Eigenschaften:
Ua = Ue - 0.6V   
Spannungsverstärkung = 1. 
Jedoch wird der Ausgangsstrom von Re bestimmt. Der Strom in Re = ICollektor  Ib..  Das elaubt einen steuerbaren Konstantstrom  im Kollektor.
Weil eine stabile Spannung am Emitter mit einem stabilen Widerstand  Re, laut I= U/R, auch einen konstanten Strom zur Folge hat.



Anders die Emitterschaltung:   Eingang und Ausgang beziehen sich auf den Emitter
    Mit einem geringen Basisstrom ( meist weit kleiner als ~10µAmpere) stellt man den Kollektorstrom ein z.B. 10 mA.
Beispiel: Verstäkung BC547 ~160
I basis = 3.3µA
I kollektor = 538µA oder 0.528 mA


aber in der Digitalwelt ist es erlaubt einfacher, gröber, zu verfahren und die Transistoren in Sättigung zu steuern...
so ändert sich die Wertermitltung etwa folgendermaßen:
B:\public_html\Transistorkunde

Bild 4
Mit einer Test-Schaltung kann man die Verhältnisse gut überwachen und ausprobieren was passiert:

in Bild 5 wird alles kombiniert:. So sieht ein Analog-Wechselspannungsverstärker aus. ( Mikrofon Vorverstärker )
Eine feste Basis-Emitterspannung wird eingestellt.( die leicht moduliert werden kann )
An R4 gibt es deshalb eine feste Spannung Ue , die ~0.6V negativer ist als dei von R1/R2 eingestellte Ub und damit einen konstanten Ue Ruhe-Spannungsabfall.
Damit ist auch I-R4 ruhe-konstant.
Dieser Strom fließt folglich auch in R3 !
zudem muss die Steuerspannung Ube + U-R4 sein !  R4 ist also eine Stromgegenkopplung..
Den (hochohmigen ~>100K-Ohm Level)  Basis-Spannungsteiler stellt man so ein, dass  UVersorgung /2 am Kollektor in Ruhe anliegt.  hier also 6V
R3 liegt etwa im 4...10K-Ohm Bereich
R4 eher kleiner, also 1K-Ohm



Transistor Kennlinen
dienen zum Verstehen des Verhaltens des Transistors. ( Typabhängig ! )

Dazu konsultiert ( bei Bedarf ) man das Datenblatt _ Bsp:  BC547.pdf
Dieses braucht man besonders in dem Fall, wenn der Transistor analoge Spannungen Verstärken oder Regeln soll.
Beachte die Maximale Verlustleistung Ptot. Dies ist wörtlich zu nehmen...  Man könnte auch Prauch sagen.

Im digitalen Schaltbetrieb reichen die Bedingungen  für genügens Bassisstrom für die volle Sättigung des Schaltverhaltens zwischen Kollektor und Emitter.
Mit folgendem Aufbau kann das Diagramm manuell ermittelt werden. ( Steckbrett )


Folgendes Diagramm soll den "Geruchssinn" für richtige Basisströme ausbilden.

Wir sehen, Spätesten ab 1mA I-basis  ist der Transistor voll durchgesteuert. Aber auch nicht mehr Basisstrom. 
Immer mit Gefühl und sachte !! Viel hilf nicht immer viel




Darlington Transistor
Symbol:            Anwendung:
Durch einfache quasi Serienschaltung der Transistoren ( meist kleiner auf gößeren Transistor ) kann der Verstärkungsfaktor MULTIPLIZIERT werden.
So ergibt sich wieder ein DREI-Pol,
Jetzt allerdings mit 2*0,6V = ~1.2Volt mindest Basis-Emitter Spannung
 - VuT1=150, VuT2=50     -->  VuT1*VuT2 = 7500 fach


WICHTIG:  Open Kollektor


Es gibt ICs, und auch Schaltungsentwürfe, die den Collektor ohne wietere Beschaltung nach aussen legen.
Der Sinn ist, das man selbst die Spannung am Verbraucher definieren kann. und so nur der  Einschalt-Strom durch den Transistor meist gegen Masse geht.



Open Kollektor Prinzip,  z.B. als Relaistreiber mit Spanungslift für das Relais z.B.12V oder 24V
Zur Ansteuerung reichen z.B. 3.3V über einen 1..2K Widerstand an der BASIS
NIEMALS OHNE BASIS-WIDERSTAND !!!  Das Bild zeigt nur das Prinzip

Bei Induktivitäten, wei Relais, unbedingt eine Diode parallel zum Verbraucher in Sperrrichtung schalten.

Diese nennt man Freilaufdiode.  ( Vergleich von Anwendung "Bibpolar Transistor" zu "MOS-FET" )



Ein typischer Strom-Ausgang, wenn die benötigte Spannung  vorher nicht bekannt ist.
Man legt den Kollektor einfach nach aussen ( evtl. schon mit einer Freilaufdiode für Induktivitäten )
Jetzt kann eine beliebige Spannung an das zu schaltende Element ( Relais ) gelegt werden, z.B. 24V+ und dann mit dem Transistor gegen Masse geschaltet werden.

So sieht das Innenleben des ULN2803 TreiberICs aus: 8facher OC Treiber mit TTL Eingang. Gezeigt wird nur einer.


Typische Anwenungen:  Optokoppler
B:\public_html\Transistorkunde



Feldeffekt Transistor   "Sperrschicht FET"
oder JFET = Junction FET

Es gibt N-Kanal und P-Kanal Sperrschicht FETs

FETs sind (fast) wie regelbare Widerstände .
Der hier gezeigte Sperrschicht FET, odre JFET wird über eine NEGATIVE Spannung von - ~5V bis 0 Volt angesteuert.
MERKE: Niemals ist das Gate gegenüber der Source grösser = 0.6V bzw.
Dies mus durch die Schaltung gewährleistet werden Und im Fall dass dies doch möglich ist, niemals ohne entsprechenden Vorwiderstand am Gate.
Ein typischer Vertreter : BF245A,  B oder C, wird aber nicht mehr produziert, aber ist gut erhältlich
   oben TO,, SMD = Ersatz im Gehäuse SOT23 heißt BF545.   
->innerer Aufbau

Regel:  Feldeffekt Transistoren sind, im Gegensatz zu Biblortransistoren, Spannungsgesteuert

Schaltzeichen:   Sperrschicht -FET  ( JFET )
                  
Namen der Leitungen:
Die Namen der Leitungen heissen nun:
Drain ( statt Kollektor )
Source ( statt Emitter )
Gate ( statt Basis )

Symbol: Wie man sieht ist der Pfeil genau in die andere Richtung wie bei NPN oder PNP Tarnsitoren
Der NPN hat den Pfeil nach aussen, der N-Kanal hat den Pfeil nach innen.
MerkSatz: Die Pfeilrichtung geht umgekehrt wie bei 'normalen' Bipolar Transistoren.
    !!Bei gleicher Polung NPN wie N-Kanal
  
das heisst N-Kanal FET ist genauso gepolt wie NPN: 
        N-Kanal FET: Drain = Positiv, relativ zu Source                -->wie bei NPN  Kolletor = Positiv bei N-Kanal FET,  relativ zum Emitter
umgekert   bei P-Kanal FET: Drain = Negativ,
relativ zu Source    -->wie bei PNP Kolletor = Negativ,  relativ zum Emitter
      
    (so mache ich es) Der mittlere Buchstabe des 'normalen' Transitors ist wie die Zeichnung des Sperrschicht  FETs  ( NPN = P )

Polung und Verwendung:
Das   Gate ist wie eine Diode in Durchlassrichtung,
Aber hier wird NIEMALS ein Spannunug > als die Diffussionsspannung angelegt,
Merke: Das Gate ist ( beim Sperrschicht FET )  in der Regel immer MINUS bis 0V gegenüber der SOURCE beim N-
    

Gemischte Anwendung Bipolar und MOS_FET Transistor
schlaue Stom Konstant Schaltung:  z.B. für LED Leisten, auch mit hohem Strombedarf.

ein kleiner Bibpolartransistor regelt das GATE des Leistungs-MOS-FET z.B. BUZ11 (~15A)  oder beliebige MOS Transistor-Größe...
Achtung : Verbraucher liegt über SHUNT Widerstand an Masse..
Dieser hat z.B. bei 6 Ohm und 0,1 A (100mA)  -->
    U = I*R  0.6 Volt Spannungsabfall, wo der Transistor beginnt leitend zu werde, und so das Gate automatisch regelt.
Bie höheren Leistungen ist die Verlustleistung am Shunt zu beachten.
Bei 1 Ampere = es 0,6 W --> P = U*I = 0,6* 1, 10 Ampere =  dann schon 6 Watt...







Anwendungen
z.B. als Impedanzwandler . Hier als Gitarrensignalwandler, in die Gitarre eingebaut,
PDF Dazu FET-PreAmp-SF.pdf

Vorsicht R2 = 2* 10 Megaohm. So fliest schon etwas Strom an Source.
Arbeitspunkt: Ideal. U/2 an Source


Das ganze ausführlicher! Impedanzwandler mit  50 Ohm Leitungstreiber:  ( Arbeitspunkt am Poti so einstellen das U-Halbe an dem Emitter anliegt )




Feldeffekt MOS-FET   Transistor
    siehe auch www.elektronik-kompendium.de   und https://de.wikipedia.org/wiki/Feldeffekttransistor
Typenauswahl leichtgemacht: http://www.mikrocontroller.net/articles/MOSFET-%C3%9Cbersicht

Nochmals: So sehen  Sperrschicht FETs im Symbol aus.
   
Und so MOS-FET Transistoren im Symbol.


Typischer Vertreter:   N-Kanal   BUZ11  ( kann ~15 A schalten )

Merke:  Diese schalten (fast wie wie Transistoren)   ab einer "Spannung am Gate_Source die, so ab 1,5..2V" Seher unkompliziert in der Handhabeung und sehr Leistungsstark ( je nach Typ ) Z.B: BUZ11  schaltet bis 15A
Hohe EIngangsimpedanz.
Nachtteil. Nicht Superschnell. Für schnelle Schalten Ladung muss die Spannung am Gate schnell nach unten zur Source gezogen werden.

Epraktikum zum Verständnis von Feldeffekttransistoren: E-Praktikum6-SS2010.pdf

Anwendungsbeispiele MOS Transistor:

  BUZ11 ( 15A ) schaltet einen Heitzwiderstand mit einem PWM Signal 
Simpler geht es nicht,


Beispiele:
  um die Polratiäten gut darzustellen.              Innenschaltungsauszug aus einem FlipFlop CMOS Baustein
Oben ist im Ausgang ein P-Kanal MOSFET mit SOURCE an VDD ( Plus ),
    bei 0 schaltet dieser durch, weil Source = gegen VDD
Unten ist im Ausgang ein N-Kanal, MOSFET mit Source an VSS ( Minus/Gnd )
    bei 1 schaltet dieser durch, weil Source = gegen VSS






Anwendungen:
Multivibrator: typische Anwendung mit zwei Integratoren, die über Kreuz sich gegenseitig ein/ausschalten.
Die Blinkfrequenz wird mit dem 2fachen RC-Integrator eingestellt.
so ergeben z.B. 2 *    5.6KOhm und 100nF eine Frequenz von etwa 1 KHerz.
Der Prüfpiepser funktioniert genau so.. Hier werden als Lastwiderstand  ~2K oder nicht weniger als 100 Ohm in Reihe zum Lautsprecher, bei Kleinleistungstransistoren, verwendet werden.
     (Für Bauteilwerte entwicklet sich mit der Zeit eine Art "Geruchssinn", was richtig und plausibel ist.)


So wird z.B. eine H-Brücke "nur mit Transistoren" realisiert.  
Zudem: richtige Potential Anpassung  von NPN-PNP-Paarung der Transistoren
Nur ein Transistor steuert zugleich 2 Powertransistoren überkreuz an.
Man beachte den trickreichen Basis-Steuerstromfluß für die Basis der  Leistungstransistoren.
Zugleichg wird ein Darlingtonbetrieb = "hohe Stromverstärkung" erreicht.



Ein Beispiel für die Stromsteuerung von Bibpolar-Transitoren

Stromverstärker ( Endstufe )  mit ungewöhnlicher Endtransistoren Schaltungen.
Hier liegen nicht wie gewöhnlich die Emitter am Ausgang sondern die Kollektoren.
Die Emitter liegen an der Plus/Minus Versorgung.
Diese werden folglich nun nur durch den Spannungsabfall am "Emitterwiderstand = Strom durch den OP" angesteuert..
der OP bekommt eine Konstantspannung via Zehnerdiode.
Folglich ist der  Emitterwiderstand-Strom gleich dem Signalstrom.
Das beudetet absolute Phasenneutralität.  ( google Rieder Verstärker )
Thomas SchaererThomas Schaerer
Beispiel: grooser Schaltplan des Rieder Verstärkers Kollektorfolger-Endstufe.jpg


Jetz nur für für Experten.....

Ein weiteres Beispiel aus der Praxis mit einem Trick.
Ein dicker Trasnsistor wird zur SromSteigerung eines Spannungsregler benutzt.
Uns zwar als Spannungsfolger in Kollektorschaltung.
Der Trick: Ein 5Volt Spannungsregler ( 7805 ) liegt  direkt an der Basis des Leistungs NPN 3055.
die 0.6Volt Verlust am Emitter wird dadurch kompensiert, das der Regler 0,6 Volt  "höher" (oder mehr) gelegt wird.
Deshalb die Dioden.
Da ich statt Dioden LEDS, mit 1.8Volt Diffussionsspannung benutze, liegt nun, 6.2 Volt an den Servos an.
5V +1.8Volt (LEDs) - 0,6Volt Basis-emmitterspannung) = 6.2Volt
Was noch zu sehen ist, ein BUZ11 ( kann 15A ) Feldeffektransitor schaltet die Servos auf  Masse
Thomas SchaererThomas Schaerer